Корпорация IBM сообщила о новых разработках относительно новейшего формата памяти известного, как память изменения фазового состояния (PCM). В следующие пять лет PCM сможет осуществить большой сдвиг в технологии хранения данных.
IBM обещает, что память PCM сможет обеспечить в сто раз быстрее скорость записи и чтения. Это позволит современным компьютерам и серверам работать намного быстрее. PCM обеспечивает не меньше 10 млн. циклов записи на 1 сектор памяти по сравнению с флеш-памятью, которая гарантирует лишь 30 тысяч циклов записи.
Кроме того, IBM удалось достигнуть высокой скорости записи, показатель которой в сто раз быстрее показателей флеш-памяти. Развитие этого проекта будет вестись в нано технологическом центре, который недавно был открыт в Цюрихе. Остаётся вопрос лишь в следующем - насколько же готова технология для ее внедрения и позволит ли стоимость производства PCM заменить, уступающей ей по показателям флеш-память.
Источник: http://engadget.com
